Az 5 nanométeres mikrochip rétegstruktúráján keresztül ismerhetjük meg azokat a korlátokat, amelyek a technológiai fejlődést fenyegetik. Hiába sikerült eddig a tranzisztorokat folyamatosan zsugorítani, már az atomi szintű határokhoz ért az ipar: fizikai törvényszerűségek, például a fény hullámtermészete és az anyagok viselkedése kifejezetten akadályozzák a további miniatürizálást.
Az extrém ultraibolya litográfia (EUV) gépek bevezetése áttörést jelentett, hogy a korábbi mérethatárokat átlépjék. Ezek a gépek elképesztő – napfelszíni hőmérséklettel vetekedő – hőt és vákuumtechnológiát igényelnek, és minden apró eltérés vagy hiba komoly anyagi veszteségekhez vezethet. Már most felmerül: van-e értelme tovább „erőltetni” ezt a technológiát, ha már a fény fizikai korlátai miatt lassul a fejlődés?
Az anyagi és technológiai korlátok miatt új alternatívák jelentek meg, például a Directed Self-Assembly (DSA), ahol az anyagok képesek önállóan, minimális emberi beavatkozással nanoméretű mintázatokat kialakítani. Itt egyedülálló módon a kémia és a fizika működik együtt a chipgyártásban, új fejlődési pályát kínálva.
Az Intel az első nagyvállalat, amely élesben is beveti ezt az eljárást, miközben más iparági szereplők még konzervatívabb megoldásokat választanak. Milyen kockázatokat és lehetőségeket hordoz a DSA? Vajon a jövő chipeinek útját a hagyományos litográfia vagy az önszerveződés szabja majd meg, és ki lesz végül a nyertes ebben a versenyben?
