Kínának sikerült megépítenie az első saját fejlesztésű EUV-litográfiai gép prototípusát, amelyet gyakran a kínai Manhattan-tervhez hasonlítanak. Az új berendezés mérete szembetűnően nagy: egy egész gyárterületet foglal el. E különös méret mögött mérnöki kompromisszumok és eltérő fejlesztési utak állnak.
A chipgyártásban kulcsfontosságú az EUV, vagyis a 13,5 nm-es hullámhosszú extrém ultraibolya fény előállítása. A belső részletek alapján Kína egyszerre két módszerrel kísérletezik: a hagyományos, ASML által alkalmazott LPP-technológiával és egy alternatív LDP-megközelítéssel. Ez utóbbi forradalmi változtatásokat jelent, de számos akadály is fennáll, például az elérhető fényteljesítmény korlátai miatt.
A mérnöki kihívások között előkelő helyen szerepel a tökéletes tükörfelületek létrehozása. Ezek a tükrök kulcsfontosságúak, ugyanis ebben az extrém tartományban a lencsék helyett speciális tükörláncok irányítják a fényt. A Zeiss több évtizedes tapasztalata ezen a területen eddig felülmúlhatatlannak számított, Kína azonban több kutatóintézet összehangolt munkájával próbálja ezt újraalkotni. Az első eredmények jelentősek, de még mindig elmaradnak a nyugati versenytársak szintjétől az optikai hatékonyság és tartósság terén.
A logisztikai és ellátási láncot is különös figyelem övezi: a gépek működéséhez elengedhetetlen hélium döntő része importból származik. Ez az ellátási bizonytalanság veszélyezteti a projekt hosszú távú sikerét. Ezenfelül a tudás és a tapasztalat megszerzése sem egyszerű; Kína célzottan igyekszik visszacsábítani azokat a mérnököket, akik korábban a rivális cégeknél dolgoztak.
A fejlesztések tehát nem egyszerű másoláson, hanem alternatív mérnöki megoldásokon és országos erőforrás-mozgósításon alapulnak. A jelenlegi prototípus teljesítménye még messze van a világszínvonaltól, a legfőbb kérdések pedig az, hogy be lehet-e érni a lemaradást, illetve elegendőek-e ezek az eredmények Kína belső szükségleteihez.
