Az IBM egy új áttörést jelentett be a tranzisztortechnológiában: a 0,7 nanométeres, illetve 7 angströmös „nano stack” tranzisztoraikat mutatják be, amelyek szokatlan, réteges elrendezéssel dolgoznak. A fejlesztés továbbviszi a tranzisztorok evolúcióját, az eddig megszokott technológiák (például a FinFET vagy a gate-all-around) után új dimenziót nyit a tömörségben és a teljesítményben.
A tranzisztorfejlesztés történetét is röviden áttekintjük, szó esik a planáris, majd a háromdimenziós FinFET architektúráról és az ezekhez kapcsolódó mérföldkövekről. Itt kerülnek képbe a gate-all-around, illetve a Japánban újonnan induló Rapidus nevű gyártó is, amely IBM technológiát hasznosít. Az újítás kulcsa a „komplementer FET” koncepcióban rejlik: az NMOS és PMOS tranzisztorok nem egymás mellett, hanem egymás felett helyezkednek el, jelentősen megnövelve ezzel az eszközök tömörségét.
Komoly mérnöki kihívást jelent, hogyan lehet úgy egymásra rétegezni két tranzisztort, hogy a gyártási lépések (például a hőkezelés) ne károsítsák az alsó rétegeket, és azt is részletesen bemutatják, miért fontos az anyagszerkezet, illetve a kristályszerkezet illesztése. A videó betekintést enged a process-node nevek mögötti jelentésbe is, valamint felvillantja, hogy a hatalmas sűrűség és hatékonysági ugrás milyen új utakat nyithat az iparban.
A részletek között a bemutató kitér arra is, hogyan változnak majd a chiptervező eszközök és fejlesztői folyamatok – hiszen a réteges tranzisztorok új szempontokat követelnek a szimulációkban, gyártásban és hőterhelés kezelésben. Végül felmerül a kérdés, hogy az IBM eljárása mennyiben válhat ágazati szabvánnyá, illetve hogy más nagy gyártók (TSMC, Samsung, Intel stb.) saját fejlesztéseikkel vagy licencekkel lépnek-e majd piacra ilyen vagy eltérő megoldással.
