Az elmúlt évtizedekben a szilícium hatalmas előretörést produkált a rádiófrekvenciás (RF) alkalmazások terén, gyökeresen átalakítva azt a módot, ahogyan az RF áramkörök készülnek és integrálódnak. Kezdetben az RF modulok egyes részegységei elkülönítve, külön dobozokban léteztek, de a CMOS technológia fejlődése lehetővé tette ezek kombinálását, előkészítve az utat a ma ismert vékony és elegáns okostelefonok előtt.
Az RF modulok működésének alapjait áttekintve szó esik arról, hogyan alakítják át az alacsony frekvenciás, például emberi beszédből származó jeleket magasabb frekvenciájú, antennával könnyen sugározható hullámokká. Ehhez különféle aktív (tranzisztorok) és passzív (induktorok stb.) elemek szükségesek.
Az elektronikai ipar fejlődésében meghatározó szerepet játszottak a különböző tranzisztor-típusok (BJT, MESFET, CMOS), amelyek eltérő anyagokból készültek, például szilíciumból vagy gallium-arzenidból. Kiemelt jelentőséget kap a Moore-törvény, amely a tranzisztorok méretének zsugorodásával gyorsabb és hatékonyabb eszközöket tett elérhetővé, így új versenytársakat hozott az RF tervezés világába.
Felvetődik a kérdés: Milyen kompromisszumokat jelent a CMOS használata az RF eszközökben a hagyományos vegyület-félvezetőkkel szemben? Hogyan oldották meg a kutatók a passzív elemek integrációjának technológiai kihívásait, például a spirálos induktorok szilícium lapkán való elkészítését?
Az is szóba kerül, hogyan az RF-CMOS felemelkedése miként változtatta meg a félvezetőipari kutatás fő irányait és hogyan befolyásolta a modern mobilkommunikációt. Ugyanakkor új dilemmák is előtérbe kerülnek: vajon a Moore-törvény lehetőségei meddig terjeszthetők ki az RF területén? Milyen akadályokat állítanak a jövő, például a 6G és a szub-terahertzes frekvenciák, a jelenlegi technológiák elé?
