Az elektronikai eszközök, így a modern chipek működése során jelentkező hőképződés mindennapos probléma a technológiai fejlődésben. A tranzisztorok zsugorodásával és az alkatrészek sűrűsödésével a keletkező hő már jelentősen akadályozza a teljesítmény növekedését. Az iparág jelenlegi válasza a folyadékhűtés, de ez csupán a keletkezett hő eltávolításában segít – az eredeti forrás megszüntetésében nem.
Érdekes módon a gyémánt tulajdonságai – kivételes hővezetés és elektromos szigetelés – teszik lehetővé, hogy potenciális megoldás lehessen erre a problémára. A Stanford Egyetem kutatói áttörést értek el: viszonylag alacsony hőmérsékleten sikerült gyémántréteget növeszteni működő tranzisztorokra, amivel a chip hőmérséklete drámaian csökkent.
Japánban új irányt vett a fejlesztés: a fukusimai atomerőmű katasztrófája után létrehozott projekt célja olyan gyémántalapú félvezetők előállítása, amelyek helytállnak extrém sugárzás és hőmérséklet mellett is. A helyi egyetemek kutatóinak vezetésével épül most a világ első gyémánt félvezetőgyára, amely a nevében is a katasztrófa utáni újjáépítést, azaz „fuku” szellemét hordozza.
A fejlődés mögött jelentős stratégiai tényezők bújnak meg: a jelenlegi fő anyag, a gallium-nitrid ellátási lánca nagymértékben Kínától függ, míg a gyémánt félvezető technológiája Japán számára teljesen önálló és fenntartható utat kínál. Az ipar számára ezek az új anyagok új lendületet adhatnak, és olyan alkalmazási területeket nyithatnak meg, ahol a szilícium vagy a gallium-nitrid korlátai miatt eddig nem volt megoldás.
