Mi történik, amikor a memóriatechnológia fejlődése eléri fizikai korlátait? Az egyik legnagyobb kihívást évtizedek óta a DRAM memória kondenzátora okozza, amely egyre több helyet igényel, és jelentős energiapazarlást eredményez. A tranzisztorok jól zsugoríthatók, a kondenzátorok azonban nehezen alkalmazkodnak az egyre kisebb méretekhez. A fejlesztők már régóta keresik azokat az újításokat, amelyekkel át lehetne lépni ezeken az akadályokon.
Az IMC egy figyelemre méltó új ötlettel állt elő: teljesen mellőzik a kondenzátort a DRAM cellákból. Egy különleges anyagot, az indium-gallium-cink-oxidot (IGZO) használnak fel, amely kivételesen alacsony szivárgási áramú. Ezzel a technológiával a töltést magában az egyik tranzisztorban tárolják, ami forradalmasíthatja a memóriagyártást – legalábbis az eddigi tesztek szerint.
Nagyon fontos kérdések merülnek fel az ipari alkalmazhatóság, a gyártási kompatibilitás és a hosszú távú megbízhatóság tekintetében. Vajon az új architektúra képes lesz helyettesíteni a hagyományos kondenzátoros DRAM-ot nagy léptékű gyártásban? Milyen hatással lehet ez a jövő chipjeire, különösen a mesterséges intelligencia és a teljesítményorientált rendszerek esetében? A válasz még nem tisztázott, de az irány ígéretes, és sokak figyelmét felkeltette az iparágban.
