2007-ben kezdődött el a 45 nanométeres gyártástechnológia sorozatgyártása, ami új korszakot nyitott a félvezetőipar fejlődésében. A videó részletesen bemutatja, milyen lépések, technológiák és mérési eljárások szükségesek ahhoz, hogy ilyen parányi alkatrészek megbízhatóan működjenek évtizedeken át.
Kiemelt figyelmet kapnak a szilíciumostyák előkészítési folyamatai, mint például a szennyeződések vizsgálata, kristályszerkezet-ellenőrzés és a maradék szennyeződések eltávolítása. Ezek mindegyike létfontosságú a tranzisztorok stabil működéséhez.
A videó foglalkozik a félvezetők szigetelési technikáival, különösen a Shallow Trench Isolation (STI) módszer bevezetésének okával és kivitelezésével. Részletezi a dopálás, az ionimplantáció és a tranzisztorok elektródáit felépítő rétegek gyártásának mérföldköveit.
Az anyag külön figyelmet fordít az úgynevezett high-K metal gate technológiára, a nanométeres szerkezeti rétegek kialakítására, valamint a forrás és drain régiók mérnöki kihívásaira (mint például a csatornarövidülés, zavaró szivárgások megakadályozása, valamint a haló és extension implantátumok korrekt kivitelezése).
Felbukkannak továbbá olyan témák is, mint a szilícium-megerősítés („strained silicon”) megoldásai, érintkezők (salicide), az alumíniumot felváltó rézalapú interconnect hálózat kialakítása és az ehhez szükséges Damascene-eljárás. A videó rámutat arra is, hogy az egyes lépések közötti precizitás és mérnöki pontosság hogyan lett döntő jelentőségű — nem csupán az új technológiák bevezetése miatt, hanem a korábbiaknál sokkal szűkebb tűréshatárok betartása érdekében.
